RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
38
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2675
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link