RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2675
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link