RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2675
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF560C40-16 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link