RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
INTENSO 4GB
Confronto
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs INTENSO 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
INTENSO 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
36
Intorno 28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
INTENSO 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
INTENSO 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
36
Velocità di lettura, GB/s
14.2
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2277
2061
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
INTENSO 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
INTENSO 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link