RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
42
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
35
Velocità di lettura, GB/s
13.2
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
2607
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link