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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Confronto
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
37
Intorno 19% latenza inferiore
Motivi da considerare
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
11.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
37
Velocità di lettura, GB/s
15.6
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.1
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2792
2808
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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