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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Compara
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Puntuación global
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Puntuación global
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
37
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
11.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
37
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.1
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2792
2808
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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