RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Confronto
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
8.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
30
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
15.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
23
Velocità di lettura, GB/s
15.6
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
11.1
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2792
2532
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link