RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
42
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
35
Velocità di lettura, GB/s
10.6
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
2566
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link