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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Confronto
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
42
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.7
6.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
6.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
27
Velocità di lettura, GB/s
6.4
9.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.7
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1632
1767
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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