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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Comparar
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Pontuação geral
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Razões a considerar
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
42
Por volta de -56% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.7
6.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
6.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
27
Velocidade de leitura, GB/s
6.4
9.7
Velocidade de escrita, GB/s
6.7
6.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1632
1767
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
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