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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
43
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.2
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
6.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
43
27
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
6.9
7.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1647
1763
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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