Porównanie pamięci RAM Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Wynik ogólny

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

27 43

Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

12.2 10.6

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

7.8 6.9

Średnia wartość w badaniach

Pełna lista specyfikacji technicznych

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1647 1763

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns