Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Puntuación global
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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB

Puntuación global
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 43
    En -59% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.2 left arrow 10.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 6.9
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    43 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.6 left arrow 12.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    6.9 left arrow 7.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1647 left arrow 1763
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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