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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Confronto
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Differenze
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Motivi da considerare
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
70
Intorno -204% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
6.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.7
4.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
70
23
Velocità di lettura, GB/s
6.5
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
4.6
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1264
2339
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-153.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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