RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
70
Около -204% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
6.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.7
4.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
23
Скорость чтения, Гб/сек
6.5
13.6
Скорость записи, Гб/сек
4.6
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1264
2339
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-153.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link