RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
34
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.1
12.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
34
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.7
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
2780
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link