Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    22 left arrow 34
    Около 35% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.7 left arrow 14.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.1 left arrow 12.7
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    22 left arrow 34
  • Скорость чтения, Гб/сек
    17.7 left arrow 14.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.7 left arrow 13.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    3075 left arrow 2780
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения