Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Pontuação geral
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Pontuação geral
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Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    22 left arrow 34
    Por volta de 35% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    17.7 left arrow 14.9
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    13.1 left arrow 12.7
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    22 left arrow 34
  • Velocidade de leitura, GB/s
    17.7 left arrow 14.9
  • Velocidade de escrita, GB/s
    12.7 left arrow 13.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    3075 left arrow 2780
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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