RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Vergleichen Sie
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
34
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
22
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
13.1
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3075
2780
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM-Vergleiche
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 9905403-198.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link