Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    22 left arrow 34
    Wokół strony 35% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    17.7 left arrow 14.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    13.1 left arrow 12.7
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    22 left arrow 34
  • Prędkość odczytu, GB/s
    17.7 left arrow 14.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    12.7 left arrow 13.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    3075 left arrow 2780
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania