Comparación de la memoria RAM Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Puntuación global

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

22 34

En 35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

17.7 14.9

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Mayor velocidad de escritura, GB/s

13.1 12.7

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

3075 2780

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns