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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Confronto
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.1
6.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
27
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
11.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
23
Velocità di lettura, GB/s
11.2
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1936
2339
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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