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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
36
Intorno 8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
15.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
36
Velocità di lettura, GB/s
17.6
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
3050
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
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