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Kingston 99U5402-029.A00LF 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Confronto
Kingston 99U5402-029.A00LF 2GB vs Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5402-029.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5402-029.A00LF 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
39
Intorno 33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
7.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5402-029.A00LF 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
26
39
Velocità di lettura, GB/s
13.6
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2076
1770
Kingston 99U5402-029.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XN205T-HYD2 16GB
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A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
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