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Kingston 99U5403-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Confronto
Kingston 99U5403-002.A00LF 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5403-002.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Motivi da considerare
Kingston 99U5403-002.A00LF 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
38
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
8.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5403-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
32
Velocità di lettura, GB/s
12.2
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1802
2960
Kingston 99U5403-002.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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