RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Kingston 99U5403-002.A00LF 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5403-002.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5403-002.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5403-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1802
2960
Kingston 99U5403-002.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link