RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Confronto
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
37
Intorno 32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
9.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
37
Velocità di lettura, GB/s
15.7
9.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.8
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2388
2046
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
SK Hynix Kingston 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link