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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
37
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
35
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2926
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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