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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Confronto
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
56
Intorno 52% latenza inferiore
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
56
Velocità di lettura, GB/s
13.3
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2320
2455
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
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