RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Porównaj
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
56
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
56
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2320
2455
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link