RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Confronto
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
51
Intorno 51% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
9.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
51
Velocità di lettura, GB/s
12.7
9.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2298
2314
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link