RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
47
Intorno -74% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
27
Velocità di lettura, GB/s
9.3
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
3514
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link