RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
47
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
14.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
3514
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link