Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    35 left arrow 80
    Intorno -129% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.1 left arrow 5.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.2 left arrow 3.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 12800
    Intorno 2 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    80 left arrow 35
  • Velocità di lettura, GB/s
    5.9 left arrow 15.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    3.4 left arrow 9.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    968 left arrow 2488
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti