RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Confronto
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,036.1
16.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
75
Intorno -317% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
18
Velocità di lettura, GB/s
3,986.4
20.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,036.1
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
714
3722
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link