RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Confronto
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,036.1
16.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
75
Intorno -168% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
28
Velocità di lettura, GB/s
3,986.4
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,036.1
16.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
714
3859
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link