RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Confronto
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,036.1
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
75
Intorno -178% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
27
Velocità di lettura, GB/s
3,986.4
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,036.1
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
714
3040
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS32G52D5 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link