RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Confronto
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,036.1
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
75
Intorno -134% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
32
Velocità di lettura, GB/s
3,986.4
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,036.1
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
714
3742
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link