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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Confronto
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
75
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.6
2,036.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
52
Velocità di lettura, GB/s
3,986.4
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,036.1
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
714
2169
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
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