RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Confronto
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,036.1
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
75
Intorno -121% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
34
Velocità di lettura, GB/s
3,986.4
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,036.1
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
714
2616
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link