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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Confronto
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
53
75
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
2,036.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
53
Velocità di lettura, GB/s
3,986.4
10.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,036.1
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
714
2319
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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