RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Confronto
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
54
75
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
2,036.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
54
Velocità di lettura, GB/s
3,986.4
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,036.1
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
714
2226
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link