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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Confronto
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,036.1
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
54
75
Intorno -39% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
54
Velocità di lettura, GB/s
3,986.4
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,036.1
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
714
2511
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
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Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
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