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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Confronto
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
42
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
28
Velocità di lettura, GB/s
12.8
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2095
2443
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
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