RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Confronto
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.5
7.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
41
Intorno -64% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
12.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
25
Velocità di lettura, GB/s
12.7
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2039
2104
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link