RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Comparar
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.5
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
41
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
12.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
7.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2039
2104
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link