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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Confronto
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Differenze
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
41
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
33
Velocità di lettura, GB/s
12.7
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2039
2910
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
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