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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Confronto
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
26
Intorno 4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
13.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
26
Velocità di lettura, GB/s
13.8
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1995
2563
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
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