RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Confronto
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
27
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
5.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
24
Velocità di lettura, GB/s
10.0
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.7
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1435
2925
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT25664BD160BJ.C4F 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link