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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Confronto
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.1
9.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.6
5.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
37
Velocità di lettura, GB/s
11.1
9.1
Velocità di scrittura, GB/s
5.8
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1807
2046
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
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