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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Confronto
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
39
Intorno 33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
7.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
6.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
39
Velocità di lettura, GB/s
13.2
7.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1489
1768
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Confronto tra le RAM
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
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